高超：让碳化硅“突围”，为国产芯片争一口气

今天（7月10日）下午，山东省人民政府新闻办公室举行“奋进‘十五五’”系列记者见面会，邀请4位青年五四奖章获奖者和获奖集体青年代表，围绕“新时代新征程 青春挺膺担当”主题，讲述他们立足岗位、攻坚克难、实干笃行的青春故事，并回答记者提问。

山东广播电视台记者：

请问高超先生，科研攻坚从来不是一帆风顺的，能否分享一下团队在攻坚克难过程中，您印象最深刻的故事？当时团队是如何实现技术自主突围的？

高超：碳化硅半导体制备条件极为苛刻，需要在2300℃的高温、接近真空的反应室内控制原子的产生、输运和排列才能形成单晶。随着晶体尺寸增大，单晶的制备难度呈指数级上升。4-8英寸的原始技术开发都是国外完成的，而12英寸则被公认为技术难度极大、可行性低。面对这种“几乎不可能”，我们在实现6-8英寸的赶超之后并没有自满停滞，而是把目光放到了12英寸碳化硅从0到1的技术突破上，决心啃下这块硬骨头。

从8英寸到12英寸碳化硅单晶，100mm的直径放大过程，并不是像做蛋糕那样简单的一次成型，而是要在2300℃下操纵一层层的原子按照新的方向和路径进行反复的重新规则排列，从而创造出新一代的晶体生长基因。在这一过程中使用的设备、工装都需要团队自行重新设计搭建，此外，每一次扩径实验后都要重新迭代结构和工艺。说实话，大家一度对这个方向和过程产生过怀疑，但我们没有退缩，自主设计开发了12英寸单晶生长装备，搭建了数百种模型进行仿真计算，不断地摸索和调试工艺参数。我们边研发边总结经验，把所有工序通过甘特图的方式精细化到每一小时的工作精度进行对接，硬是把一次技术迭代的周期从三个月压缩到了两周。功夫不负有心人，2024年，我们在业内首次突破了12英寸碳化硅单晶制备技术并在慕尼黑电子展全球首发。凭借这项成果，我们拿下了第31届国际电子材料金奖，这是该奖项成立31年来首次主动颁给中国企业。后续我们制备的全系列12英寸碳化硅半导体晶片入选中国制造”十四五”成就展并进入国家博物馆展出，还被收录进了中国共产党历史展览馆。目前，我们已经实现了12英寸的批量生产，正在引领和推动这项技术在人工智能等领域的全新应用。回头看，这些成绩的背后是团队的不自满、不畏惧，我们就是要争一口气，让国产半导体技术原始创新真正掌握在自己手里。

（大众新闻记者 程文琪 摄影 李亚平 崔晗 视频 高广超 策划 王雅洁）