从“跟跑”到“并跑”:长鑫科技IPO,十年磨剑,一朝“上桌”

大众新闻 张誉耀   2026-07-15 16:05:32原创

7月16日,国产存储龙头长鑫科技将正式开启科创板新股申购。

原本,在长鑫科技的招股书上,拟募资295亿元,是2026年以来A股最大IPO(首次公开募股)项目,也是科创板历史上第二大IPO。

然而,7月14日晚,长鑫科技发布公告称,新股发行价敲定为8.66元/股,照此计算,超额配售选择权行使前,长鑫科技预计募集资金总额约579亿元,超过中芯国际2020年的532亿元;如果全额行使超额配售权,这个数字将冲到666亿元,直接问鼎科创板史上最大IPO。

对资本市场而言,这是一笔刷新纪录的募资;对中国半导体产业而言,这则是一个更具深意的信号——在DRAM(动态随机存取存储器)这一被海外巨头垄断数十年的核心赛道上,中国企业正在从“跟跑”迈向“并跑”。

十年磨一剑,打破DRAM三足鼎立

长鑫科技的故事,始于2016年的合肥。彼时,全球DRAM市场被三星、SK海力士、美光三家牢牢把控,合计份额超过90%,中国大陆在这一领域几乎一片空白。长鑫科技选择了一条最难走的路:自主研发

公司采取差异化“跳代研发+换道超车”战略,依托DUV(深紫外光刻)实现高密度存储制造,绕开EUV(极紫外光‌)光刻机管制壁垒。同时布局后HBM(高带宽内存)时代全新技术赛道,规避与韩企在传统制程上的正面竞争。根据招股书,长鑫科技已完成第四代工艺技术平台的量产,达到国际先进水平

更具标志性的是,公司计划2025年底前交付HBM3(第三代高带宽存储芯片)样品,2026年开始全面量产。HBM是AI算力时代的核心存储器件,长鑫科技已向华为交付HBM3产品,在高端存储领域迈出了关键一步。

如今,长鑫科技已是我国规模最大、技术最先进、布局最全的DRAM研发设计制造一体化企业,采用IDM(垂直整合制造)全产业链模式,覆盖芯片研发、晶圆制造、封装测试到终端销售全部环节,成为全球第四家具备这一完整能力的DRAM厂商。

相关专家表示,长鑫科技的规模化量产与资本化,补齐了集成电路产业的最大短板,与长江存储形成“DRAM+NAND”国产存储双雄格局,有力落实了“十五五”集成电路全产业链自主可控的战略目标。

耐心资本陪跑

硬科技投资的“长期主义”

DRAM是半导体领域投资周期最长、风险最高的赛道之一。从建厂到量产,动辄需要数百亿投入和数年爬坡,可谓“豪赌”。长鑫科技的十年历程,恰恰是“耐心资本”陪跑硬科技的生动样本。

2016年项目启动之初,合肥国资直接下场,以144亿元包揽项目八成出资,用超常规的速度推进产线建设,此后,国家集成电路产业投资基金二期、安徽省投资集团等国资力量接续入场。从招股书看,长鑫科技的股东结构呈现出鲜明的国资主导特征,前五大股东合计持股超58%,股权穿透后,合肥国资相关主体合计持有长鑫科技超过35%的股份,国资力量覆盖了从地方到国家的多个层级。阿里巴巴、腾讯、小米、美的等产业资本也积极参与。这种国资搭台、多元资本协同的合力模式,正是当前中国硬科技实现关键突围的一条行之有效的路径。

比股东结构更值得关注的是“锁定期”。长鑫科技董事长朱一明承诺上市后10年不减持,同时拿出7.68亿股用于员工股权激励。在A股IPO中,这样的超长锁定期极为罕见——它传递的信号再清晰不过:这不是一场赚快钱的资本游戏,而是一场需要十年甚至更久才能看到终局的产业长跑。

根据招股书中计划,本次IPO拟募资295亿元,将投入三大方向:75亿元用于存储器晶圆制造量产线技术升级改造,130亿元用于DRAM存储器技术升级,90亿元用于动态随机存取存储器前瞻技术研发。七成以上资金用于设备采购,重点投向DDR5和HBM高端存储扩产及先进制程研发。公司现有晶圆月产能约28万片,未来三年计划提升至50万片,产能接近翻倍。“耐心资本”不仅体现在持股耐心上,更体现在把钱花在刀刃上——每一分钱都在为下一个十年的技术领先做准备。

一家企业的IPO,一场产业的升级

长鑫科技登陆科创板,不仅是单一企业的资本化里程碑,更是国内存储全产业链协同升级的重要信号。

据产业链人士透露,长鑫科技的国产设备整体占比已达四至五成,核心工序国产化率持续提升。公司2025年原材料采购规模超114亿元,电子化学品、光刻胶、硅片、电子特气、靶材等品类需求持续释放,拉动了一大批国产设备与材料企业从“实验室验证”走向“产线规模化应用”。长鑫科技扩产一轮,带动的是整个国产半导体设备与材料产业向前走一步。

更深层的意义在于制度层面。长鑫科技是科创板试点IPO预先审阅机制后的首单受理项目,从2025年12月30日获受理到2026年5月27日过会,仅用时148天。从中芯国际到长鑫科技,科创板正在成为承载“卡脖子”领域企业融资的核心平台。

当然,也必须清醒看到,长鑫科技与三星、SK海力士在先进制程、高端产品占比上仍有差距,DRAM行业的强周期属性也意味着发展道路不会一帆风顺。但,十年前,中国没有自主DRAM;十年后,我们至少已经坐在了牌桌上。

从0到1的突破已经完成,从1到10的征程刚刚开始。

(大众新闻编辑 张誉耀)

责任编辑:许光宇